Разработчики уверяют, что первая машина, используемая для безмасочной нанолитографии, стоит в пределах 5 млн руб., то есть как современный китайский автомобиль хорошего качества, тогда как зарубежные аналоги оцениваются в миллиарды рублей. Нанопрорыв России.
Огарёв-online
Современная оптическая литография с l = 248 нм должна остановиться на размере около 120 нм. Именно стремлением к этому пределу был обусловлен прогресс в оптической литографии в последние годы. Ищете Фотолитография и операции с фоторезистом по хорошей цене и с техническим обслуживанием. Недавно стала известна новость, что в России разрабатывают аналог технологии EUV — отечественный литограф с длиной волны менее 13,5 нм. EUV означает ‘экстремальный ультрафиолет’. Это относится к длине волны света. Литография. Полный цикл оптической литографии с минимальным размером получаемых структур до 0,6 мкм. Оборудование предназначено для создания рельефа в кремниевых, стеклянных или кварцевых пластинах диаметром 100 мм и включает все этапы. Для производства чипов по техпроцессу 45 нм и ниже обычно уже нужны установки иммерсионной литографии (ArF immersion), для техпроцессов ниже 7 нм – EUV-литографы. Иммерсионных и EUV-литографов в России, насколько мне известно, в данный момент нет. РОСНАНО безмасочная литографию с разрешением до 10 нм. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА РФ: 10-нм реальны, свой OLED, суперконденсаторы и другие новости.
В России разработали проект литографа для производства микросхем
Помимо "традиционной" масочной фотолитографии, существует ещё перспективное направление безмасочной многолучевой литографии. Там есть свои плюсы и минусы, но в целом технология, похоже, будет развиваться. «По дорожной карте мы выделим 2 года на первый этап – создание критических технологий рентгеновской литографии. Это означает, что альфа-машина будет разработана в течение двух лет. — Если говорить о плотности рисунка, ультрафиолетовая литография дает 32 нм, а рентгеновская – 13 нм. С использованием технологии многократного экспонирования получены минимальные размеры 8-9 нм. — То есть на сколько мы в России отстаем? Оригинал опубликован в Рентгеновская фотолитография в России На заре микроэлектроники, еще в 1965 году, один из создателей корпорации Intel Гордон Мур высказал предположение, которое впоследствии назвали законом Мура: число. Реализация всего проекта позволит наладить в России производство литографов, необходимых компонентов и систем для отечественных фабрик производства микросхем. Оригинал опубликован в Рентгеновская фотолитография в России На заре микроэлектроники, еще в 1965 году, один из создателей корпорации Intel Гордон Мур высказал предположение, которое впоследствии назвали законом Мура: число.
Росатом и РАН разработают российский рентгеновский фотолитограф для производства микроэлектроники
В Росатоме есть мультикиловаттные лазеры, которые используются в различных приложениях. Во-вторых, технология изготовления рентгеновских зеркал, например в Институте физики микроструктур РАН, у нас одна из лучших в мире. Мы также можем использовать разработки Росатома для моделирования всей этой системы на основе цифрового двойника», — перечислил ученый. Сергеев напомнил, что первая в мире успешная разработка рентгеновского литографа была осуществлена силами нескольких национальных лабораторий министерства энергетики США, аналога Росатома.
Они часто применяются в биохимии, генной инженерии и молекулярной биологии. Синтетические олигонуклеотиды используют для изучения нуклеиновых кислот, создания диагностических систем и терапевтических препаратов. Синтез олигонуклеодитов проходит в автоматическом синтезаторе, который добавляет нуклеотиды в нужном порядке к растущей молекулярной цепи. Первое нуклеотидное звено фрагмента ДНК или РНК присоединяют к плоской поверхности, при этом, чтобы пришить к нуклеотиду следующее звено цепи, необходимо убрать так называемую фотолабильную группу - это делается с помощью ультрафиолета. Ученые ИХБФМ использовали фотолитографии, засвечивая определенные участки поверхности пластины с помощью ультрафиолета.
К таким структурам, в частности, относятсянаноиглы, наностолбики и монолитные кремниевые нанотрубки. Плазмохимическое травление осуществляется в основном за счёт физико-химического взаимодействия между свободными атомами, ионами, радикалами и другими частицами, образующимися в плазме, и поверхностными атомами обрабатываемого материала. Также по теме «Основа новых технологий хранения и передачи информации»: российские учёные создали материалы для спиновой электроники Российские учёные разработали новый класс материалов для спиновой электроники, в которой единицей информации будет выступать квантовое... Результаты нашей работы были представлены на форуме «Микроэлектроника-2023», а непосредственно само разработанное и созданное нами технологическое оборудование планируется представить на III конгрессе молодых учёных 28—30 ноября 2023 года.
Отмечу, что разработку ведут сотрудники научно-исследовательской лаборатории «Технологии материалов и изделий электронной техники» в рамках реализации программы научного центра мирового уровня «Передовые цифровые технологии» СПбПУ. В дальнейшем мы также планируем совершенствовать наше оборудование. Таким образом, сформированные нами микро- и наноструктуры являются основой для создания солнечных элементов батарей, панелей, модулей и т. Все остальные проблемы решаются изучением различных источников, применением накопленного опыта и навыков, которые были приобретены ранее при выполнении смежных задач.
В целом мы делали каждый узел установок пошагово и на каждом шаге тестировали разработанные и созданные узлы, после чего производили доработку. Повторяли вышеописанные действия до тех пор, пока не получили удовлетворяющий нас результат.
Таким образом, сформированные нами микро- и наноструктуры являются основой для создания солнечных элементов батарей, панелей, модулей и т. Все остальные проблемы решаются изучением различных источников, применением накопленного опыта и навыков, которые были приобретены ранее при выполнении смежных задач. В целом мы делали каждый узел установок пошагово и на каждом шаге тестировали разработанные и созданные узлы, после чего производили доработку. Повторяли вышеописанные действия до тех пор, пока не получили удовлетворяющий нас результат. Кому-то интересно создание массива наноигл для производства автоэмиссионных катодов, кому-то нужны отдельные узлы созданного комплекса в комплекте с уже разработанными конкретными технологиями. Даже Китай пока только подошёл к выпуску собственного литографического оборудования.
Почему на мировом рынке сложилась такая ситуация, притом что процессоры — стратегически важное оборудование? Неужели создать такое оборудование настолько сложно, что это смогли сделать только в Нидерландах, или дело в экономических факторах? Хотя, как вы уже отметили, экономические факторы играют очень большую роль. Предприятия по выпуску электронной компонентной базы ЭКБ , которые используют такие литографы, должны окупать свои затраты и получать прибыль.
Первый отечественный литограф для печати чипов может быть выпущен в 2030 году
Старинная картина фотолитография Симфония скорби и страдания, Галимский В.М. В раме и под стеклом. говорится в публикации. Оригинал опубликован в Рентгеновская фотолитография в России На заре микроэлектроники, еще в 1965 году, один из создателей корпорации Intel Гордон Мур высказал предположение, которое впоследствии назвали законом Мура: число.
Автоматические системы фотолитографии
Все остальные проблемы решаются изучением различных источников, применением накопленного опыта и навыков, которые были приобретены ранее при выполнении смежных задач. В целом мы делали каждый узел установок пошагово и на каждом шаге тестировали разработанные и созданные узлы, после чего производили доработку. Повторяли вышеописанные действия до тех пор, пока не получили удовлетворяющий нас результат. Кому-то интересно создание массива наноигл для производства автоэмиссионных катодов, кому-то нужны отдельные узлы созданного комплекса в комплекте с уже разработанными конкретными технологиями. Даже Китай пока только подошёл к выпуску собственного литографического оборудования. Почему на мировом рынке сложилась такая ситуация, притом что процессоры — стратегически важное оборудование? Неужели создать такое оборудование настолько сложно, что это смогли сделать только в Нидерландах, или дело в экономических факторах?
Хотя, как вы уже отметили, экономические факторы играют очень большую роль. Предприятия по выпуску электронной компонентной базы ЭКБ , которые используют такие литографы, должны окупать свои затраты и получать прибыль. А если не будет спроса на отечественную ЭКБ, то нет и экономической целесообразности в налаживании выпуска такого оборудования.
Однако и этого должно быть достаточно, чтобы разработка стала привлекательной для инвесторов и фабрик, особенно с учётом конкурентной стоимости самой установки и её обслуживания. На втором этапе в 2026 году появится «бета-машина». Системы будут улучшены и усложнены, увеличится разрешение, повысится производительность, многие операции будут роботизированы. Установку уже можно будет применять на масштабных производствах, что и будет сделано — на этом рубеже важно интегрировать её в реальные технологические процессы и отладить, «подтянув» соответствующее оборудование для других этапов производства. Наконец, на третьем этапе 2026—2028 годы российский литограф получит более мощный источник излучения, улучшенные системы позиционирования и подачи, станет работать быстро и точно. Несмотря на то, что отечественный 7-нанометровый техпроцесс будет освоен ещё не скоро, работы тянут на настоящую технологическую революцию — со времён СССР в России нет своего литографического производства, а текущий уровень в 65—90 нм достигнут после приобретения уже ненового иностранного оборудования в конце 2000-х годов.
Здесь же речь идёт именно о разработке своего и, что особенно важно, по оригинальной технологии.
Параллельно Россия должна занять такую же долю на рынке конечной продукции и практически полностью удовлетворить потребности государственного сектора, сказал Мантуров. По мере появления отечественных образцов Минпромторг будет корректировать перечень продукции для параллельного импорта, в рамках которого сейчас в РФ ввозится не производящаяся в стране электронная продукция. В 2024 году государство выделит на поддержку отрасли микроэлектроники 210 миллиардов рублей, в 2023 году из бюджета на это было направлено уже 147 миллиардов рублей, отметил вице-премьер. По его словам, поддержка прежде всего «нацелена на создание широкой линейки программно-аппаратных решений для всех сфер применения».
Ну а отечественные решения обеспечат способность производить микроэлектронные устройства независимо от внешних обстоятельств и настроения действующего президента США. В бюджете на 2024 год заложено 211. Несмотря на амбициозные планы, у экспертов есть сомнения по поводу сроков построения индустрии по производству аппаратуры для производства микросхем. Проблема в том, что у многих предприятий нет достаточного числа сотрудников, способных разработать технологический процесс таких установок, поскольку негде взять учёных с достаточными знаниями в области практической физики.
Пока же в России освоена технология производства чипов по 65-нм нормам, но современные литографические комплексы в стране пока не производятся. Это значит, что речь идёт об импортных установках, более совершенные аналоги которых закупают Intel, TSMC и другие полупроводниковые гиганты. Что до России, то существует национальная программа, рассчитанная до 2030 года. Ставятся амбициозные планы, но реализация может сильно пострадать из-за санкций.
Росатом и РАН разработают российский рентгеновский фотолитограф для производства микроэлектроники
Задача это сложная, Китай пытается ее решить уже несколько лет. Достичь этого планируют благодаря усилению импортозамещения и разработке собственного литографического оборудования. В 2027 году Минпромторг РФ также планирует освоить серийное производство микропроцессоров по топологическим нормам 28 нм на 300-миллиметровых кремниевых пластинах. На это указывают данные планов развития индустрии микроэлектроники, которые на форуме «Микроэлектроника-2023» представил замглавы Минпромторга Василий Шпак. Сейчас российские предприятия могут производить микроэлектронику по нормам 130 нм, но к 2026 году ожидается переход к техпроцессу 65 нм. В среднесрочной перспективе, к 2030 году, российские полупроводниковые предприятия планируют начать выпуск микроэлектроники по топологической норме 14 нм.
То есть, это не просто план — вид сверху. Таким образом, с помощью современных литографов можно создать «электронный город», где количество транзисторов и других компонентов такое, какое невозможно было даже представить себе в 80-х годах. Они помогли зайти за предел того, что позволяет оптика. Четвертый шаг — это технология многократного экспонирования. Она кратно позволяет улучшить разрешение.
По этой технологии на пластине один слой рисуется за несколько приемов. Каждый раз наносится разряженный рисунок, но сдвинутый относительно предыдущего на несколько нанометров. Таким образом, удается кратно, до 4-х раз еще уменьшить минимальный размер рисунка. Но это очень сложная технология, которая заметно уменьшает производительность литографического процесса, понижает процент годных изделий. И всем хотелось бы избежать таких сложностей.
И пятый шаг — это переход на рентгеновскую литографию. Там сразу длина волны укоротилась со 193 нм до 13,5 нм. Теперь на самых передовых мировых фабриках TSMC Тайвань , Samsung Корея и Intel США при изготовлении критических слоев, которые главным образом и определяют технические характеристики чипа, применяется именно эта технология. А кто ее разработал? Только ее специалисты при участии всего мира, в том числе и российских ученых, сумели это сделать.
Концерн Philips чем только ни занимался, — в том числе и производством литографического оборудования, только на ультрафиолетовом диапазоне. Как только у ASML появились амбициозные планы, чипмейкеры со всего мира стали выделять этой компании большие деньги, так как они верили в перспективу. Японские Canon и Nikon также пытались эту технологию развивать, но у них ничего не получилось. Они сделали демонстрационную машину, но поняли, что неспособны конкурировать с ASML, и эту тему прикрыли. Компания все свои проблемы объявляла публично, устраивала очень часто открытые рабочие совещания и появлялись люди, которые заявляли: «Я могу решить эту проблему».
Таким образом они отобрали лучших специалистов в мире. А Япония все это делала в закрытом режиме. Сейчас — это 13 нм, а на новой машине они хотят получить 8-9 нм.
В 2024 году должна быть готова «альфа-машина». Уже с этого момента установка станет рабочим оборудованием и будет рассчитана на проведение полного цикла операций. Однако упор на этом этапе будет сделан не на высокую скорость её работы или разрешение, а на полноценную реализацию всех систем.
Однако и этого должно быть достаточно, чтобы разработка стала привлекательной для инвесторов и фабрик, особенно с учётом конкурентной стоимости самой установки и её обслуживания. На втором этапе в 2026 году появится «бета-машина». Системы будут улучшены и усложнены, увеличится разрешение, повысится производительность, многие операции будут роботизированы. Установку уже можно будет применять на масштабных производствах, что и будет сделано — на этом рубеже важно интегрировать её в реальные технологические процессы и отладить, «подтянув» соответствующее оборудование для других этапов производства.
Гнаться за ASML с их супертонкими нормами 7-5 нм и ниже — глупость. Никто в мире не может. Поэтому взяли такие нормы, которые мы сможем потянуть. К тому же, продукты по этим нормам будут оставаться актуальными еще очень долго, особенно для стратегически важных областей. Туда в помещение никого не пускают, там повышенный класс чистоты. Очень грамотно еще и то, что разработка будет идти в два этапа: сначала 350 нм, а потом 130 нм.
Ну а потом можно и о более современных нормах подумать, например, 40-28 нм, правда там нужны будут уже совершенно другие технологии. Кстати, литографическое оборудование в России никогда не производилось. Советские машины «Планара» до сих пор работают, например, на зеленоградском «Ангстреме».
В России построят полигоны, где будут тестировать оборудование для производства фотолитографов
Иоффе — рентгенорезисты и композиции из органических полимеров и веществ, чувствительных к излучению. ОАО «Планар» — системы совмещения. Алфёрова — моделирование масок. Из-за глобального дефицита чипов, спрос на продукцию значительно возрос, как и число клиентов компании.
За прошлое десятилетие ASML создала 140 машин литографии, стоимостью примерно 200 млн. Тем временем новые High NA намеренны продавать уже на треть дороже. Они удерживали лишь небольшую часть рынка.
И похоже конкуренция с ASML не позволит им продолжить развиваться в этом же направлении.
Технический прогресс Сегодня мировая экономика движется в сторону беспроводных и мобильных устройств. Чтобы следовать этому тренду, необходимо создать новый класс электроники, отличающийся высокой производительностью и малым энергопотреблением. Отрасль фотолитографии не должна терять в этом забеге.
Нужно постоянно обновлять парк оборудования, применять новые материалы и методы в производственном процессе. Технологические тенденции развития фотолитографии в России Увеличение точности и разрешения Одной из главных тенденций развития фотолитографии в России является увеличение точности и разрешения. Хотя сегодняшние технологии и так достигли впечатляющих значений, подобные инновации по-прежнему считаются ключевыми при разработке микроэлектроники, которая становится все более тонкой и сложной. Развитие новых материалов и производства Другой важной тенденцией в фотолитографии является развитие новых материалов и производства.
На фоне быстрого развития нанотехнологий, а также микро- и наноэлектроники, появляется все больше требований к качеству материалов и их свойствам, а также к процессам их производства. В этой связи, увеличение контроля над процессом фотолитографии и выбор наилучшего качества материалов становятся ощутимо значимыми задачами. Автоматизация и упрощение процесса Наконец, третьей важной тенденцией является автоматизация и упрощение процесса фотолитографии. Сегодня этот процесс в значительной степени автоматизирован, но на фоне увеличивающихся объемов продукции и усиливающейся конкуренции, производственные компании вынуждены идти на постоянные улучшения и оптимизацию процессов.
Преодоление недостатков, повышение производительности и контроля, а также упрощение и автоматизация производства — все это находится сегодня в центре внимания разработчиков фотолитографии. Мировой опыт применения фотолитографии и его перспективы в России Фотолитография в мировой практике Фотолитография — это технология производства элементов микро- и наноэлектроники. Она широко используется во всем мире для создания транзисторов, устройств памяти, процессоров и других компонентов, используемых в электронных устройствах. Применение фотолитографии распространено в различных сферах: от производства полупроводников до создания микроэлементов для механики и оптики.
Основными преимуществами технологии фотолитографии являются высокое разрешение, скорость и универсальность. Благодаря этому она позволяет создавать компоненты с очень маленькими размерами до 10 нм. Это особенно актуально в современной электронике, где каждый год требуется производить всё более мелкие и функциональные элементы. Перспективы фотолитографии в России В России фотолитография используется не только в электронной промышленности, но и в науке и образовании.
Несколько российских компаний занимаются производством кристаллов, используемых в микроэлектронике.
Решение взяться за разработку фотолитографа, рассчитанного на 28 нм и менее, причем уникальной конструкции, основывается, как отметил Николай Дюжев, на проведенных в ЦКП нескольких НИОКР, в рамках которых были разработаны экспериментальные и теоретические основы и ключевые технологии, необходимые для создания такого фотолитографа. В частности, ЦКП участвовал в разработке с длинным названием «Разработка источника мягкого рентгеновского излучения на основе матрицы микрофокусных рентгеновских трубок для безмасочного литографа с разрешением лучше 10 нм», в рамках которой были проработаны многие решения, необходимые для создания литографа. Эти работы, как пояснил Дюжев, были проведены совместно с уже упомянутым коллективом сотрудников Института физики микроструктур из Нижнего Новгорода во главе с Николаем Чхало. Этот коллектив, как мы уже отметили выше, уже несколько лет назад разработал проект и создал демонстратор безмасочного рентгеновского нанолитографа на основе МОЭМС. Выбор такого типа конструкции фотолитографа на принципах безмасочной фотолитографии с использованием динамической маски на основе МОЭМС обусловлен в том числе тем, что из-за высокой стоимости оборудования, дороговизны масок, сложной и дорогостоящей инфраструктуры проекционная фотолитография обоих типов становится конкурентоспособной только при массовом производстве, которое достигает десятков миллионов чипов в год. Иными словами, для этой технологии требуется глобальный рынок. Разрешение 14 нм и менее, уже несколько лет назад достигнутое в массовом производстве, является результатом применения EUV- фотолитографии на длине волны 13,5 нм. Проблема при создании установок для EUV-литографии состоит в том, что на этой длине волны нельзя использовать традиционные источники света и традиционную оптику Как сказано в техническом задании на НИР, целью его выполнения является экспериментальная проверка основных технологических решений в области безмасочной рентгеновской нанолитографии: изготовление и экспериментальное исследование макетов динамической маски на основе МОЭМС в двух вариантах: с управлением коэффициентом отражения рентгеновского излучения и с управлением коэффициентом пропускания рентгеновского излучения.
В первом случае в качестве источника излучения предполагается использовать источник на основе паров олова о нем мы рассказали выше , который разрабатывает ООО «ЭУФ Лабс» из Троицка во главе с тем же Константином Кошелевым. Во втором предполагается использовать источник синхротронного излучения синхротрон Научно-исследовательского института физических проблем им. Лукина в Зеленограде, ранее входившего в состав зеленоградского Научного центра, а ныне входящего в состав Курчатовского института. Синхротронное излучение — это разновидность рентгеновского излучения с длиной волны от долей ангстрема до инфракрасного излучения, что, собственно, и позволяет использовать его для рентгеновской литографии. История этого синхротрона отражает все перипетии, которые пережила отечественная микроэлектроника. Его начали строить еще в 1984 году, в 1990-е строительство остановилось, но все-таки в 2002 году состоялся его пробный пуск. По предложению президента Курчатовского института Михаила Ковальчука на базе этого синхротрона создается Центр новых технологий, одним из предназначений которого является решение задач рентгенолитографии. Окончательный его пуск должен состояться в 2023 году. А НИР, о котором мы рассказываем, должен завершиться в обоих вариантах уже в ноябре этого года созданием технологии и макетов динамической маски, а также ТЗ и ТЭО на опытный образец литографа.
Схема 3. В этой технологии, как пояснил Николай Дюжев, топология кодируется состоянием пикселей микрозеркал МОЭМС, отражающих или пропускающих рентгеновское излучение. Для смены проецируемого изображения достаточно поменять программу, а динамическая маска сама формирует изображение, которое необходимо получить на резисте см. А систему позиционирования для обеих вариантов фотолитографов взялась разработать зеленоградская компания ЭСТО, специализирующаяся на разных направлениях электронного машиностроения. Фотолитограф с управлением коэффициентом отражения рентгеновского излучения см. Как рассказал нам Николай Чхало, работа литографической установки с управляемым коэффициентом отражения происходит следующим образом: излучение лазера фокусируется с помощью линзы на вращающуюся жидкую оловянную мишень. В результате лазерного пробоя паров олова и нагрева электронов в световом поле лазерного излучения образуется высокотемпературная плазма. Схема 4. Образовавшиеся в плазме ионы олова интенсивно излучают в относительно узком спектральном диапазоне с максимумом излучения на длине волны 13,5 нм.
Это излучение отражается зеркалом-коллектором ЗК. Отраженное от МОЭМС излучение падает на первое зеркало трехзеркального проекционного объектива и далее с помощью зеркал 32 и З3 уменьшенное в 400 раз изображение сформированное МОЭМС переносится на пластину с фоторезистом, установленную в плоскости изображения на системе позиционирования. Фотолитограф с управлением коэффициентом пропускания рентгеновского излучения см. Об устройстве фотолитографа с управлением коэффициентом пропускания рентгеновского излучения нам рассказал Николай Дюжев. Рентгеновское излучение, которое генерируется в синхротронном источнике, направляется через систему зеркал на динамическую МОЭМС-маску, формирующую в реальном времени увеличенное изображение топологии чипа. Схема 5. Каждое отверстие в мембране отвечает за формирование единичного пикселя изображения на пластине.
Современная технология EUV фотолитографии с использованием фотошаблонов уже сейчас подбирается к теоретическому пределу развития, и может окупится только если конечная продукция выпускается огромными тиражами, это основное достоинство данной технологии. Альтернативой масочной фотолитографии является безмасочная, которая делиться на несколько подвидов, которые в основном различаются типом воздействия оптическим, рентгеновским или электронным лучом на резистивный слой подложки. Данная технология не требует создания фотошаблонов и позволяет легко вносить модификации при производстве конечной продукции, при этом может достигнуть техпроцесса менее 10 нм. При этом данные технологии являются наиболее перспективными. Основным минусом данных методов литографии является существенно более медленная скорость в разы изготовления конечных изделий. Поэтому в основном данная технология применяется в экспериментальных установках. Схема безмасочной рентгеновской установки. На данный момент действующего производства литографических установок в РФ не существует и требует отдельного внимания на возрождение технологии и последующего его усовершенствования. Разработкой прототипа EUV фотолиграфической установки и ее оптической занимался Николай Салащенко в Институте физики микроструктур ИМФ РАН в Нижнем Новгороде, производство планировали наладить на Красногорском механическом заводе, но на момент проведения мониторинга производство не было запущено. Также НИИ Молекулярной электроники ведет разработку экспериментальной литографической установки на электронных пучках. В 2010 году специалисты Института ядерной физики им Г.
Фотолитография с пятнадцатилетним опозданием
МОСКВА, 26 апр – РИА Новости. Увеличить срок работы рентгеновских аппаратов в 10-50 раз позволят кремниевые наноиглы, полученные благодаря авторской технологии ученых СПбПУ, считают в вузе. Речь идет об оборудовании для фотолитографии, то есть машин, которые выполняют роль «станков» для чипов. Производство средств производства для средств производства, или хай-тек в третьей степени. МИЭТ, основываясь на российских разработках, получил госконтракт стоимостью 670 млн рублей на создание технологии и макетов масок, техзадание и техническо-экономическое обоснование первого образца литографа. Все работы планируют завершить в ноябре этого года. Об этом сообщает РИА Новости со ссылкой на Минобрнауки России. Если кратко, то шероховатости на каждом таком изделии не должны превышать 1 нм. Разумеется, фотолитография возможна только в условиях глубокого вакуума, что создает дополнительные сложности и разработчикам, и технологам. — Если говорить о плотности рисунка, ультрафиолетовая литография дает 32 нм, а рентгеновская – 13 нм. С использованием технологии многократного экспонирования получены минимальные размеры 8-9 нм. — То есть на сколько мы в России отстаем?