Опция также может иметь другие названия: (Tras) Minimum RAS active Time. Act to Precharge Delay. Тайминг tRP определяет задержку, необходимую для перехода к новой строке. После получения данных необходимо послать команду Precharge, для того чтобы закрыть строку из которой считывались данные и разрешить активацию новой. tRAS, Active to Precharge Delay, DRAM RAS# Activate to Precharge, Min RAS# Active Time. Параметр устанавливает минимальное время между командой активизации строки и командой закрытия, то есть такое время, в течение которого строка может быть открыта. минимальное количество циклов между командой активации (RAS) и командой подзарядки (Precharge) или закрытия одного и того же банка памяти. Once the row is activated, data can be read from that row without further overhead until the end of the row is reached, so tRAS ordinarily has little effect on overall memory performance. As with any timing parameter, setting tRAS incorrectly can reduce system stability.
Лучшие настройки таймингов для оперативной памяти DDR4 3200
Принцип работы в режиме Standby Режим Standby включается на момент завершения работы монитора при активации технологии «Activate to precharge delay tras 36». В этом режиме происходит подготовка системы к следующему включению. Когда монитор переходит в режим Standby, он остается в режиме ожидания и готовности. В этом состоянии монитор потребляет минимальное количество энергии и приостанавливает все свои функции, кроме необходимых для возобновления работы. Такой способ позволяет уменьшить потребление энергии и продлить срок службы устройства. В режиме Standby монитор сохраняет текущую конфигурацию и настройки, чтобы после выхода из режима ожидания можно было быстро возобновить работу без необходимости вводить все данные заново. При активации технологии «Activate to precharge delay tras 36» монитор начинает подготовку к активному режиму работы. В этом случае режим Standby является промежуточным состоянием, в котором монитор продолжает отслеживать сигналы и сохранять данные, но при этом уже готовится к полноценному включению. Этот процесс включает в себя задержку активации delay перед срабатыванием и предварительное зарядное устройство precharge. Delay, равный 36, означает, что монитор ожидает 36 тактовых импульсов перед активацией. В это время он проводит внутренние проверки и подготовку к работе.
После задержки активации монитор переходит в полноценный активный режим работы и отображает изображение на экране.
Чем меньше временной интервал между этими двумя сигналами, тем лучше, поскольку данные будут считываться быстрее. Как и в случае с CAS Latency, RAS to CAS Delay имеет дело с реальной тактовой частотой которая равна половине маркировочной частоты , и чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память, так как в этом случае чтение или запись данных начинается быстрее. После получения данных из памяти, нужно послать в память команду Precharge, чтобы закрыть строку памяти, из которой считывались данные, и разрешить активацию другой строки. RAS Precharge time tRP — временной интервал между командой Precharge и моментом, когда память сможет принять следующую команду активации — Active. Как и в случае с другими параметрами, эти 2 параметра имеют дело с реальной тактовой частотой которая равна половине маркировочной частоты , и чем меньше эти параметры, тем быстрее память. Таким образом, этот параметр определяет временной предел, после которого память может начать считывать или записывать данные из другой строки. Command Rate CMD — отрезок времени с момента активации чипа памяти прихода сигнала на вывод CS — Chip Select [выбор чипа] до того как чип сможет принять какую-нибудь команду. То есть ячейки оперативной памяти при соответствующей необходимости содержат данные до тех пор, пока на них подается электрический ток, тогда как постоянной памяти например, флэш-карте питание необходимо только для считывания, стирания или записывания информации.
Микросхемы содержат ячейки памяти, представляющие собой конденсаторы, заряжающиеся при необходимости внесения о записи логической единицы, и разряжающиеся при внесении записи о логическом нуле. Общий смысл работы динамической памяти можно упрощенно обрисовать так: ячейки организованны в форме двумерных матриц, доступ до одной из них осуществляется через указание адреса соответствующего столбца и строки. Такие синхронизированые с тактирующим импульсом сигналы для активации подаются по очереди на строку RAS , после чего на столбец CAS. Когда происходит запись информации подается еще и дополнительный импульс допуска к записи WE Write Enable , который также изменяет напряжение от высокого на низкий. Описание сборки компьютера в котором наглядно показано как установить планки оперативной памяти. Наиболее важной характеристикой памяти, которая первоочередным образом влияет на производительность, является пропускная способность, которую выражают как произведение объема данных, передаваемых за каждый такт на частоту системной шины. Например, оперативная память имеет ширину шины восемь байт, а тактовая частота составляет триста тридцать три мегагерца, тогда пропускная способность составит две тысячи семьсот мегабайт в секунду. Более современные схемы оперативной памяти имеют двух-, трех- и более каналов для подключения, соответственно их пропускная способность удваивается, утраивается и так далее. Между тем, показатель частоты работы оперативной памяти и ее теоретическая пропускная способность далеко не единственные параметрами, которые отвечают за производительность.
Не менее существенную роль играет тайминг, а вернее тайминги, выражаемые в количестве тактов, которые прошли между отдачей какой-либо команды и ее действительным исполнением. То есть тайминг, еще называемый латентностью памяти, есть величина задержки от поступления до исполнения команды, выражаемая в тактах. Есть четыре основных показательных тайминга, которые можно увидеть в описаниях модулей оперативной памяти: — tRCD time of RAS to CAS Delay , тайминг, непосредственно характеризующий задержку от импульса RAS до импульса CAS; — tCL timе of CAS Latency , тайминг, характеризующий задержку после подачи команды о записи чтении до импульса CAS; — tRP timе of Row Precharge , тайминг, характеризующий задержку после завершения обработки одной строки до перехода к следующей строке; — tRAS time of Active to Precharge Delay , тайминг, характеризующий задержку от активации строки до окончания работы с этой строкой подачи команды Precharge. Это значение считают одним из основных; — иногда еще указывают Command rate, тайминг, характеризующий задержку от команды по выбору определенного чипа на модуле до команды активации строки. Для наглядности и краткости тайминги записывают в виде цифр через дефис, последовательность согласно описанию, например, 6-6-6-18-24. Таким образом, меньшая величина каждого тайминга, даже если память работает с более низкой тактовой частотой, означает более быструю работу памяти. Чтобы разобраться с таймингами — что это такое и для чего они нужны, следует слегка немного углубиться в механизм работы оперативки. Упрощенная схема выглядит следующим образом: ячейки ОЗУ устроены по принципу двухмерных матриц, доступ к которым происходит с указанием столбца и строки. Ячейки памяти — по сути, конденсаторы, которые могут быть заряженными или разряженными, записывая таким образом единицу или ноль я думаю, все уже давно в курсе, что любое вычислительное устройство работает с двоичным кодом.
Синхронизированные с тактовым импульсом сигналы сначала подаются на строку, затем на столбец. При записи информации подается дополнительный импульс допуска WE. Производительность памяти напрямую зависит от количества данных, передаваемых за каждый такт. При этом есть одно НО: данные передаются не мгновенно, а с некоторой задержкой, которую еще называют латентностью. А мгновенно, как известно, ничего не передается — даже фотоны света имеют конечную скорость. Что говорить об электронах, пытающихся пробиться сквозь слои кремния? Итак, таймингом или латентностью называют величину задержки от поступления до исполнения команды. Их, а также всяких подтаймингов, существует несколько десятков видов, однако с практической стороны они интересны разве что инженерам и прочим большим специалистам по аппаратной части. Для обычного юзера важны четыре вида тайминга, которые обычно указываются при маркировке оперативки: tRCD — задержка между импульсами RAS и CAS; tCL — задержка от подачи команды о чтении или записи до импульса CAS; tRP — задержка от обработки строки до перехода к следующей; tRAS — задержка между активацией строки и началом обработки.
Некоторые производители также указывают Command rate — задержка между выбором конкретного чипа на модуле памяти и активацией строки. Мерой тайминга является такт шины памяти. По сути, эти цифры позволяют в общих чертах оценить производительность планки оперативки еще до ее покупки. Обычно тайминги указываются на шильдике наряду с типом памяти, частотой и прочими характеристиками. Например, так: 7-7-7-18. Однако эту информацию указывают не все производители, поэтому существует вероятность, что, разобрав компьютер и вытащив модуль памяти, требуемых данных вы не найдете. Как узнать интересующие параметры? В этом случае на помощь придут программы, позволяющие получить полную информацию о железе — например, Speccy или CPU-Z. И заметьте, в описаниях товаров интернет-магазинов часто информация о таймингах не приводится.
Поэтому, если вы решили заморочиться по харду и подобрать дополнительную планку оперативки с абсолютно идентичными таймингами, чтобы активировать двухканальный режим оперативной памяти зачем вам это нужно, читайте здесь , скорее всего придется отправиться в компьютерный магазин и морочить голову продавцу или найти инфу на маркировке самостоятельно. Каждая планка оперативки снабжена чипом SPD, в котором хранится информация о рекомендуемых значениях таймингов применительно к частотам системной шины. Обычно компьютер при автоматических настройках устанавливает оптимальное значение латентности, благодаря которому оперативка покажет лучшую производительность. Переназначить тайминги можно в БИОСе. Это — одна из любимых забав оверклокеров и прочих компьютерных колдунов, которые при помощи всяких хитрых настроек могут существенно увеличить производительность любого железа. Если вы не знаете, какие тайминги ставить, лучше ничего не трогайте, выбрав автоматическую настройку. Естественно, многих при покупке оперативной памяти интересует вопрос, что будет если у разных модулей памяти разные тайминги. По сути, ничего страшного не произойдет — вы просто не сможете запустить оперативку в двухканальном режиме. Известно о случаях полной несовместимости модулей памяти, совместное использование которых провоцирует появление «синего экрана смерти», однако здесь кроме латентности следует учитывать еще множество дополнительных параметров.
Отправляясь за новой планкой памяти, вы можете продолжать сомневаться, какие тайминги лучше. Естественно, те, которые ниже. Однако разница в цифрах латентности находит отражение в разнице в цифрах на ценнике — при прочих равных параметрах модуль с меньшими таймингами будет стоять дороже. И если вы читали мои предыдущие публикации, то вероятно еще помните, что я всяко негодую по поводу ископаемой DDR3 и агитирую всех при сборке компа ориентироваться на прогрессивный стандарт DDR4. Еще на эту тему для вас полезно будет ознакомиться со статьями о влиянии оперативной памяти на производительность в играх и как соотносятся частота процессора и частота оперативной памяти. Для глубокого погружения, так сказать. Чтобы знать вообще все. На этом, дорогие друзья, я говорю вам «До завтра». Спасибо за внимание, подписку на новости и расшаривание этой публикации в социальных сетях.
Тайминг, оперативная память и производительность ПК Компьютерная терминология иногда поражает своей сложностью. Из-за этого пользователь и одновременно конечный покупатель сталкивается с определенными проблемами выбора во время приобретения компьютера или обновления его конфигурации. К одной из важных характеристик ПК относится так называемый тайминг. Оперативная память характеризуется как параметром частоты, на которой она работает, так и размером задержек обращения к другим модулям компьютера. Перед тем как переходить к ответу на вопрос, что такое тайминг, опишем основной принцип работы ОЗУ — оперативного запоминающего устройства. В ней временно сохраняются данные, необходимые для работы процессора. Передача информации в этом случае осуществляется непосредственно от блока памяти на ядро или же через особую сверхбыструю память. Если говорить простыми словами, то оперативная память — это несколько микрочипов, которые хранят данные всех запущенных пользователем программ. Но разве нельзя хранить все это на жестком диске, ведь это тоже память?
К сожалению нет. Все дело в скорости и надежности. Жесткий диск является механическим устройством с низкой скоростью работы по сравнению с потребностями процессора и ограниченным ресурсом. ОЗУ лишена этих недостатков, она быстра, и ее ресурс не зависит от количества обращений. Без углубления в особенности технической реализации SRAM-памяти можно сказать, что такие планки отличаются высокой скоростью. Задержки и передача данных в блоке ОЗУ происходит моментально. Но, к сожалению, такая реализация отличается дороговизной. К тому же объемы модуля памяти ограничены сравнительно большими размерами транзисторов. Модули SRAM используются в качестве сверхбыстрой кэш-памяти, которую применяют на процессорах, жестких дисках и других модулях ПК.
Динамический тип ОЗУ — это привычные всем прямоугольные планки, которые располагаются на материнской плате. Такая память отличается сравнительной дешевизной и большими объемами. Но ее блоки имеют свои недостатки: Так как планка содержит в себе конденсаторы, то необходимо регулярно «регенерировать» заряд в них для того, чтобы данные не пропали.
Тайминги неспроста называют также «задержками» — они характеризуют именно промежутки времени, проходящие между поступлением различных команд и их выполнением. Прежде чем двигаться далее, пожалуй, стоит сделать небольшое отступление и рассказать о некоторых особенностях организации памяти — в дальнейшем это нам пригодится. Начнем с логической части.
В этом плане одну микросхему ОЗУ можно представить в виде двухмерного массива то есть таблицы ячеек — соответственно, адрес каждой из них задается номерами строки и столбца, на пересечении которых она лежит. Теперь немного о физике: за хранение информации отвечают конденсаторы с обслуживающей их транзисторной обвязкой. Причем текущее состояние ячейки определяет именно конденсатор: если на нем есть заряд, хранится единица, в противном случае — ноль. При считывании же информации происходит разрядка этого элемента, то есть если там было значение 1, оно потеряется.
Впрочем, параметр tRAS влияет на общую производительность памяти весьма незначительно, оптимальный вариант установки данного показателя может быть выставлен вручную во многом определяется типом чипсета. В зависимости от типа памяти, некоторые модули имеют настройку Auto информация поступает из микросхемы SPD. Диапазон значений tRAS - от 3 до 30 тактов.
Что означает запаздывание активации перед предварительным зарядом TRAS 36?
Оперативная память — один из важнейших компонентов системы, оказывающих заметное влияние на скорость и стабильность работы компьютера. Модули памяти работают по сложным алгоритмам и требуют правильно устанавливать значения рабочих частот и различных временных интервалов. Для обычного не разогнанного режима работы системы нет необходимости заниматься наладкой памяти вручную, поскольку в современных модулях памяти все необходимые параметры устанавливаются автоматически. С помощью настройки BIOS вы можете отключить автоматическую наладку и задавать все параметры вручную.
При этом можно повысить производительность системы, правда, вам придется взять на себя всю ответственность за стабильность ее работы. Настройка BIOS, оперативная память, тайминги оперативной памяти. Чтобы обратиться к определенной ячейке памяти, контроллер вырабатывает последовательность сигналов с некоторыми задержками между ними.
Задержки необходимы, чтобы модуль памяти успел выполнить текущую команду и подготовиться к следующей. Эти задержки называют таймингами и обычно измеряют в тактах шины памяти. Если тайминги будут слишком большими, то чип памяти выполнит все необходимые действия и будет некоторое время простаивать, ожидая следующую команду.
В этом случае память работает медленнее, но стабильнее. Если тайминги излишне маленькие, модуль памяти не сможет корректно выполнить свои задачи, в результате чего произойдет сбой в работе программы или всей операционной системы. Иногда при таких таймингах компьютер может вообще не загрузиться, тогда придется обнулять с помощью перемычки на системной плате.
У каждого модуля памяти свои значения таймингов, при которых производитель гарантирует быструю и стабильную работу памяти. Используя информацию SPD, BIOS может автоматически конфигурировать любой модуль памяти из числа тех, которые поддерживаются чипсетом системной платы. Можно попытаться снизить значения таймингов, чтобы ускорить работу памяти, но после этого следует тщательно протестировать систему.
Для понимания их сути кратко рассмотрим работу контроллера памяти. Цикл доступа к определенной ячейке памяти начинается с того, что контроллер устанавливает низкий уровень сигнала выборки строки RAS Row Address Strobe и выставляет адрес строки на линиях адреса. При поступлении этой команды модуль памяти начинает процесс открытия строки, адрес которой был передан по адресным линиям.
Через определенный промежуток времени, необходимый, чтобы открыть выбранную строку, контроллер памяти устанавливает низкий уровень сигнала выборки столбца CAS Column Address Strobe. На линиях адреса уже будет установлен адрес столбца, который нужно открыть. Через некоторое время после подачи сигнала CAS модуль памяти начнет передачу запрошенных данных.
Для закрытия строки контроллер памяти отключает сигналы RAS и CAS , установив на соответствующих выводах высокий уровень. После этого начинается подзарядка закрываемой строки, но при этом может завершаться передача пакета с данными. Если нужно прочитать данные из другой строки, новый сигнал выборки строки RAS может быть подан только через некоторое время после закрытия предыдущей строки, которое необходимо для подзарядки закрываемой строки.
Like the formula for reads can be easily determined from the diagram below where tRCD is the activate command to write command delay, tCWL is the write command to first data delay, BC is the first data to last data clock gap when burst chop is enabled. And finally, tWR is last data to the precharge command. It does not cause issues, or a performance regression, it simply does nothing at all. Whether you set tRAS to this value or the register minimum value does not matter at all. Why does the write have to include the CAS command and the burst? The write must include the tCWL timing and the burst due to the prefetch architecture which was explained early. With a read the data is in the memory and gets transferred to the prefetch buffer after 1 physically memory core clock cycle. This means that what ever happens to the data in the physical memory past this point does not matter. The row can be closed without problems as the data is already in the prefetch buffer.
При выполнении операций чтения и записи данные из оперативной памяти передаются в процессор через шину памяти. Задержка между активацией строки и предварительной разрядкой играет важную роль в оптимизации этого процесса. Оперативная память представляет собой массив ячеек, организованных в виде строк и столбцов. Каждая строка содержит данные, которые могут быть запрошены процессором. При активации строки ACT выбирается одна из строк, содержащих запрошенные данные. Затем следует этап предварительной разрядки PRE , когда строки, которые больше не требуются, освобождаются.
With these commands, an Auto Precharge flag can be set to automatically precharge the row when done. It can be a recurring command, but not frequently enough to make the related timings important to us. Refresh: refreshes the charge in memory cells by writing data back in place without changing it. All banks must be idle precharged before a refresh. Timings are generally divided into three categories: Primary, Secondary, and Tertiary. Primary is the broadest, the rated settings are listed on the box e. Secondary are non-primary timings that can optionally be set in SPD see next section. Their names and definitions will be covered in a future article. They are responsible for standardizing and defining everything in this article, from abbreviations to the entire concept of DDR4. When a newly-built system is powered on for the first time, the board will check SPD and default to the best set of these JEDEC approved slow-but-safe speeds. Even if memory manufacturers wanted to go deeper, there is a specific and limited list of SPD entries. Enabling XMP and calling it a day generally does a good enough job. XMP will cover that camp.
Activate to Precharge Delay (tRAS): важный параметр оперативной памяти на компьютере
Значение tRAS может быть установлено в BIOS системы и зависит от конкретной платы и модуля памяти. Active to Precharge Delay (tRAS, DRAM RAS# Activate to Precharge, Min RAS# Active Time). Параметр устанавливает минимальное время между командой активизации строки и командой закрытия, то есть время, в течение которого строка может быть открыта. The minimum activate to precharge delay for writing is: tRCD + tCWL + BC + tWR The tRCD value used when tRCDWR and tRCDRD timings are independently defined is tRCDWR. BC on DDR4 is 2 clock cycles, on DDR5 it is 4 clock cycles.
Что такое «Activate to precharge delay» в трансформаторах и как его активировать?
Он необходим для того, чтобы предоставить достаточно энергии для работы электронной системы, когда двигатель запускается. Задержка в активации предзарядки (precharge) называется «Activate to precharge delay tras 36». одна планка Crucial CT51264BA160B Со следующими характеристиками: DDR3 4 гб 1600 МГц PC12800 Тайминги: CAS Latency (CL) - 11 RAS to CAS Delay (tRCD) - 11 Row Precharge Delay (tRP) - 11 Activate to Precharge Delay (tRAS) - 30 Напряжение 1.5В. Activate to precharge delay tras что это. На чтение 6 мин Опубликовано 05.09.2023 Обновлено 05.09.2023. -Activate to Precharge delay (tRAS). Number of clocks taken between a bank active command and issuing the precharge command.
Что такое тайминги ОЗУ?
- Модули памяти activate to precharge delay (tras) 12 - отзывы
- Что такое тайминги в памяти | Для системного администратора
- Активация предзарядки с задержкой: что это
- Дополнительные характеристики
- Что такое тайминги оперативной памяти?
- Activate to Precharge Delay (tRAS): влияние на оперативную память
Command rate cr 1t или 2t что лучше
At first glance, it might not seem like a big delay: a CL 9 RAM module is only delaying transfer by 9 clock cycles, right? Well, yes. But this is happening every time that particular function the CPU requesting data takes place. First, identify the highest frequency your RAM will achieve with the default timing settings. Once you have your clock speed up as high as it goes remember to up your RAM voltage accordingly. Make sure the timings are stable To stability test your memory, use Memtest64. We suggest running 5 loops at a time. A life hack?
Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени.
Для увеличения производительности рекомендуется установить минимальное значение tRAS. Впрочем, параметр tRAS влияет на общую производительность памяти весьма незначительно, оптимальный вариант установки данного показателя может быть выставлен вручную во многом определяется типом чипсета.
Условия торговли такие: зона ожидания в отделе первого продавца позволяет обслуживать только одного клиента за раз, а второй может разместить сразу двух. Но у первого склад с видеокартами находится в два раза ближе, чем у второго с приставками. Поэтому он приносит товар быстрее, чем второй. Однако, второй продавец будет обслуживать сразу двух клиентов, хотя ему и придется ходить за товаром в два раза дальше.
В таком случае, скорость работы обоих будет одинакова. А теперь представим, что склад с приставками находится на том же расстоянии, что и у первого с видеокартами. Теперь продавец консолей начнет работать в два раза быстрее первого и заберет себе большую часть прибыли. И, чем ближе склад и больше клиентов в отделе, тем быстрее он зарабатывает деньги. Так, мы понимаем, как взаимодействует частота с таймингами в скорости работы памяти. Очередь — это пользователь, который запрашивает информацию из оперативной памяти.
Продавец — это контроллер памяти который доставляет информацию. Техника со склада — это информация для пользователя. Прилавок — это пропускная способность памяти в герцах частота. Расстояние до склада — тайминги время, за которое контроллер найдет информацию по запросу. Соответственно, чем меньше метров проходит контроллер до банок с электрическим зарядом, тем быстрее пользователь получает информацию. Если частота памяти позволяет доставить больше информации при том же расстоянии, то скорость памяти возрастает.
Если частота памяти тянет за собой увеличение расстояния до банок высокие тайминги , то общая скорость работы памяти упадет. А 4000 на CL16 покажет ровно 8 нс. Выходит, что оба варианта примерно одинаковы по скорости, но второй предпочтительнее из-за большей пропускной способности. В то же время, если взять память с частотой 4000 при CL14, то это будет уже 7 нс. При этом пропускная способность станет еще выше, а время доставки информации снизится на 1 нс. Строение чипа памяти и тайминги В теории, оперативная память имеет скорость в наносекундах и мегабайтах в секунду.
Однако, на практике существует не один десяток таймингов, и каждый задает время на определенную работу в микросхеме. Они делятся на первичные, вторичные и третичные. В основном, для маркетинговых целей используется группа первичных таймингов. Их можно встретить в характеристиках модулей. Например: Вот, как выглядят тайминги на самом деле: Их намного больше и каждый за что-то отвечает. Здесь бармен с томатным соком не поможет, но попробуем разобраться в таймингах максимально просто.
Схематика чипов Микросхемы памяти можно представить в виде поля для игры в морской бой или так: В самом упрощенном виде иерархия чипа это: Rank — Bank — Row — Column. В ранках рангах хранятся банки.
What Are Memory Timings? We found this out the hard way while doing comparative testing for an article on extremely high frequency memory which refused to stabilize. We shelved that article indefinitely, but due to reader interest thanks, John , we decided to explore memory subtimings in greater depth. Our goal is to revisit this topic with a secondary and tertiary timings deep-dive, similar to this one. We got information and advice from several memory and motherboard manufacturers in the course of our research, and we were warned multiple times about the difficulty of tackling this subject. First, the basics.
While memory frequency is measured in Hertz , or cycles per second, the unit for memory timings is just plain cycles. To convert clock cycles to a measurement of time requires knowing the frequency of the memory. This is listed in MHz, or units of 1,000,000Hz. However, modern memory is DDR double data rate , meaning data is transferred on the rising and falling edge of each clock, so advertised frequencies are twice the real clock frequency. Latencies have gradually increased over the years with the physical distance that signals have to travel the speed of light is a hard limit , but frequency has increased as well, and therefore performance has still improved. There are many, many different timings, but they deal with a fairly small list of commands: when they can be issued, how long it takes for them to execute, how many cycles pass before a response. These are Active-Low signals, so they can be either H igh or L ow , 1 or 0.
Суть таймингов
- Что такое тайминги в памяти | Для системного администратора
- Как активировать задержку предварительного заряда TRAS и что это такое
- Что такое command rate 1t или 2t. Ускоряем память или меньше не значит лучше
- Заключение
- Принцип работы в режиме Standby
Activate to precharge delay tras 36 что это значит
По причине того, что компьютеры могут одновременно выполнять миллионы операций, к флопсам добавляют приставку «гига». В привычной же обстановке мы можем путать мощность и частоту, поэтому считаем производительность компьютеров не гигафлопсами, а максимальной рабочей частотой. Это проще в рядовых ситуациях, когда говорящие знают тему хорошо и соотносят мощность с герцами в уме автоматически. В то же время, такое языковое упрощение вносит коррективы в понимание практической части вопроса. Вырывая контекст из форумов, рядовой пользователь и правда думает, что мощность памяти можно выразить в герцах. Просто потому, что гонка за частотой стала трендом среди любителей и энтузиастов. Это и мешает неопытному человеку понять, почему его высокочастотный процессор может проиграть тому, у которого на несколько сотен герц меньше. Все просто — у одного два ядра и четыре потока, а у другого четыре настоящих.
И это большая разница. Оперативная память и ее скорость Оперативная память состоит из тысяч элементов, связанных между собой в чипах-микросхемах. Их называют банками bank , которые хранят в себе строчки и столбцы с электрическим зарядом. Сам электрический заряд — это информация картинки, программы, текст в буфере обмена и много чего еще. Как только системе понадобились данные, банка отдает заряд и ждет команды на заполнение новыми данными. Этим процессом руководит контроллер памяти. Для аналогии, сравним работу оперативной памяти и работу кафе.
Чипы можно представить в виде графинов с томатным соком. Каждый наполнен соком и мякотью спелых помидоров электрический заряд, информация. В кафе приходит клиент пользователь компьютера и заказывает сок запускает игру. Бармен контроллер, тот, кто управляет банками принимает заказ, идет на кухню запрашивает информацию у банок , наливает сок забирает игровые файлы и несет гостю, а затем возвращается и заполняет графин новым соком новой информацией о том, что запустил пользователь. Так до бесконечности. Тайминги — качество Работа памяти, вопреки стереотипу, измеряется не только герцами. Быстроту памяти принято измерять в наносекундах.
Все элементы памяти работают в наносекундах. Чем чаще они разряжаются и заряжаются, тем быстрее пользователь получает информацию. Время, за которое банки должны отрабатывать задачи назвали одним словом — тайминг timing — расчет времени, сроки. Чем меньше тактов секунд в тайминге, тем быстрее работают банки. Если нам необходимо забраться на вершину по лестнице со 100 ступеньками, мы совершим 100 шагов. Если нам нужно забраться на вершину быстрее, можно идти через ступеньку. Это уже в два раза быстрее.
А можно через две ступеньки.
Поэтому в характеристиках любой планки ОЗУ указывается несколько таймингов — задержек, которые возникают на определенном этапе работы с памятью. Числа таймингов указывают на выполнение следующих операций: CL: CAS Latency — число тактов, которое проходит с отправки запроса в память до начала ответа на него. Она не может быть закрыта раньше этого времени. Все эти тайминги указываются в параметрах оперативной памяти именно в том порядке, который мы привели.
Тайминги памяти обозначаются рядом чисел, например, так: 2-3-2-6-T1, 3-4-4-8 или 2-2-2-5. Каждое из этих чисел указывают, за сколько тактовых циклов память выполняет определенную операцию. Чем меньше эти числа, тем быстрее память. Чтобы было понятнее, представьте себе, что память организована в виде двумерной матрицы, где данные хранятся на пересечении строк и столбцов. CL: CAS Latency — время, проходящее с момента посыла команды в память до начала ответа на этот запрос. То есть это время, которое проходит между запросом процессора некоторых данных из памяти и моментом выдачи этих данных памятью. CMD: Скорость поступления команды Command Rate — время с момента активации чипа памяти до момента, когда можно будет обратиться к памяти с первой командой. Иногда этот параметр не указывается. Обычно это T1 1 тактовый цикл или T2 2 тактовых цикла. Обычно у пользователя есть 2 возможности. При конфигурации компьютера использовать стандартные тайминги памяти. В большинстве случаев для этого при настройке материнской платы в пункте конфигурации памяти нужно выбрать параметр "авто". Можно также вручную сконфигурировать компьютер, выбрав более низкие тайминги, что может увеличить производительность системы. Нужно заметить, что не все материнские платы позволяют изменять тайминги памяти. Кроме того, некоторые материнские платы могут не поддерживать очень низкие тайминги, из-за чего они могут сконфигурировать ваш модуль памяти так, что он будет работать с более высокими таймингами. Конфигурирование таймингов памяти в настройках материнской платы При разгоне памяти может случиться так, что для того, чтобы система работала устойчиво, вам, возможно, придется в настройках увеличить тайминги работы памяти. Вот здесь-то и могут быть очень интересные ситуации.
Цветового разнообразия серии Fury у них нет, только строгий черный цвет. Основное отличие этих модулей заключается в энергоэффективности: они рассчитаны на работу при напряжении в 1,35 В. Связан такой шаг, в первую очередь, с возможностью их работы с процессорами Intel Core шестого поколения — Skylake. Как мы знаем, контроллер памяти этих процессоров совместим с DDR3, но при этом рекомендуется использовать память именно с низким напряжением питания. Но мы не думаем, что при сборке нового компьютера на основе процессора поддерживающего DDR4, будет целесообразно покупать память устаревшего стандарта. А вот для энтузиастов оверклокинга память с пониженным напряжением отличный подарок. При повышении напряжения до безопасных 1,5 В, такая память должна показывать хорошие результаты в разгоне. Более подробную техническую спецификацию можно посмотреть програмно. Поможет в этом утилита Thaiphoon Burner. Данная программа может работать с областью SPD модуля памяти, считывает все параметры и выводит подробный отчет.
Определение режима тайминга DRAM: что это такое и как его настроить
Правильная настройка Cas Latency (CL), RAS to CAS Delay (tRCD), Row Precharge Time (tRP) и Activate to Precharge Delay (tRAS) позволяет сократить время задержки и обеспечить быстрый доступ к данным. Однако, при настройке таймингов оперативной памяти DDR4. RAS to CAS Delay (tRCD). Характеризует задержку между определением адресного слота (столбца и строки), где хранятся необходимые для вычисления данные. •. tRAS, Active to Precharge Delay, DRAM RAS# Activate to Precharge, Min RAS# Active Time. Параметр устанавливает минимальное время между командой активизации строки и командой закрытия, то есть такое время, в течение которого строка может быть открыта.