Это тайминг определяет время, в течение которого является активной одна строка модуля памяти. Также в некоторых источниках он может называться SDRAM RAS Pulse Width, RAS Active Time, Row Precharge Delay или Active Precharge Delay. задержка, необходимая на подзарядку емкостей ячеек памяти. Производится или закрытие целой строки. Activate to Precharge (TRAS) - время активности строба. Опция также может иметь другие названия: (Tras) Minimum RAS active Time. Act to Precharge Delay.
What are Memory Timings & How they Work: CAS, RAS and tRAS Explained
| Модули памяти activate to precharge delay (tras) 12 - отзывы | This content hopes to define memory timings and demystify the primary timings, including CAS (CL), tRAS, tRP, tRAS, and tRCD. |
| Command rate cr 1t или 2t что лучше | CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9 Activate to Precharge Delay (tRAS) 27. Так вот, не будет ли проблем из за разных параметров tRAS 24 и 27. |
Что такое активация задержки Precharge (tRAS) и как она влияет на оперативную память
Выбор оптимального значения tRAS зависит от конкретной конфигурации вашего компьютера и его нагрузки. Итак, при настройке оперативной памяти обратите внимание на значение активирования перед предварительной разрядкой tRAS. Найдите баланс между низкой задержкой и надежностью работы системы. Установите оптимальное значение, которое обеспечит максимальную производительность и стабильность вашего компьютера. Определение и функция tRAS Задержка активации перед предварительной зарядкой tRAS — это время, которое требуется оперативной памяти для завершения текущей операции перед тем, как она может быть очищена и использована для следующей операции. Активация — это процесс, при котором выбирается ряд памяти для записи или чтения данных.
Когда вы выполняете операции чтения или записи данных в оперативную память, процессор отправляет команды для активации конкретного ряда памяти, в котором содержатся эти данные. Оперативная память активирует ряд и выполняет операцию чтения или записи в этот ряд. После завершения операции, оперативная память должна тщательно очистить ряд, чтобы он мог быть использован для следующей операции. Вот где задержка активации перед предварительной зарядкой tRAS вступает в игру. Точное значение tRAS зависит от конкретной памяти и ее настроек.
Завышенное значение tRAS может вызвать задержку в обработке данных, что приведет к снижению производительности системы. Однако низкое значение tRAS может создать напряженность в работе оперативной памяти, что может в свою очередь вызвать ошибки и сбои. Когда выбираете значение tRAS для вашей системы, важно найти баланс между производительностью и стабильностью. Использование рекомендованных значений производителя памяти или проведение дополнительных тестов может помочь определить наилучшее значение tRAS для вашей конкретной системы. Давайте представим, что вы пытаетесь отправить письмо почтальону.
Если вы задерживаетесь с закрытием конверта высокая tRAS , вы тратите больше времени, и почтальону приходится ждать.
Однако если вы не уверены в своих действиях, лучше оставьте вариант Auto, ибо могут случится неприятные последствия при неправильных настройках. Возможно когда — нибудь напишу об этой теме более подробно. Подписывайтесь на обновления моего блога, чтобы не пропускать самое интересное. Здравствуйте, дорогие друзья.
С вами Артём. Что такое тайминги оперативной памяти? Вот об этом и сегодня и поговорим. Видео версия статьи: Тайминги, как и другая полезная информация маркируется на корпусе планки оперативной памяти. Тайминги состоят из группы цифр.
На некоторых планках тайминги указаны полностью, а на других указывается только CL задержка. В этом случае полный список таймингов можно узнать на сайте производителя планки, по номеру модели. Любая оперативная память DDR 1,2,3,4 имеет одинаковые принципы работы. Память имеет определённую частоту работы в МГц и тайминги. Чем тайминги меньше, тем быстрее процессор может получить доступ к ячейкам памяти на микросхемах.
Соответственно получаются меньше задержек при считывании и записи информации в оперативную память. Частоты: С контроллером памяти она память общается на частоте в половину меньшей, чем та, которая указана на маркировке плашки оперативной памяти. Так что на корпусе планки оперативной памяти указывается эффективная частота работы памяти, тогда как в реальности, частоты работы в два раза ниже. Линии адреса, данных и управления передаются по одной шине в обе стороны, что и позволяет говорить об эффективной частоте работы оперативной памяти. Данные передаются по 2 бита на один синхроимпульс, как по фронту, так и по спаду тактового импульса, что и удваивает эффективную частоту работу памяти.
Частота оперативной памяти складывается из коэффициента умножения множителя на частоту системной шины. Это значит, что для разгона оперативной памяти, нужно разогнать процессор по шине либо выбрать нужный множитель памяти. Тайминги: Модули памяти, работающие на одной и той же частоте, но имеющие разные тайминги в тоге могут иметь разную итоговую скорость работы. Тайминги указывают на количество тактовых импульсов, для выполнения микросхемой памяти той или иной операции. Например, поиска определённой ячейки и записи в неё информации.
Тайминги обозначаются цифрами, например, 10-11-10-30. Если обратиться к базовой структуре ячейки памяти, то получится вот такая табличная структура. То есть структура строк и столбцов, по номеру которых можно обратиться к тому или иному байту памяти, для чтения или записи данных. Что же конкретно обозначают цифры таймингов? От него в большей степени будет зависеть скорость работы оперативной памяти.
Чем меньше первая цифра из таймингов, тем она быстрее. CL указывает на количество тактовых циклов, необходимых для выдачи запрашиваемых данных. Таким образом для CL10 оперативная память задержит выдачу данных на 10,7 наносекунды. Если последующие данные располагаются по адресу следующему за текущем адресом, то данные не задерживаются на время CL, в выдаются сразу же за первыми. Также величина этой задержки tRCD является числом тактов между включением команды «Активировать Active » и командой «Чтение» или «Запись».
Чем меньше задержка между первым и вторым, тем быстрее происходит конечный процесс. Напомню, что команда « Active » запускает цикл чтения или записи данных. Чем меньше эта задержка, тем быстрее запускается цикл чтения или записи данных, через команду « Active ». Если в память уже поступила команда « Active » и в конечном итоге процесс чтения или записи из конкретной строки и конкретной ячейки , то следующая команда « Precharge » которая закрывает текущую строку памяти, для перехода к другой будет послана, только через это количество тактов. То есть это время, после которого память может приступить к записи или чтению данных из другой строки когда предыдущая операция уже была завершена.
Есть ещё один параметр, который по умолчанию никогда не изменяется. Разве что при очень большом разгоне памяти, для большей стабильности её работы. Это отрезок времени между активацией конкретного чипа памяти на планке оперативной памяти. Для большей стабильности при высоком разгоне, часто выставляется 2 T , что несколько снижает общую производительность. Особенно если плашек памяти много, как и чипов на них.
В этой статье я постарался объяснить всё более-менее доступно. Если, что, то всегда можно перечитать заново: Если вам понравился видео ролик и статья, то поделитесь ими с друзьями в социальных сетях. Чем больше у меня читателей и зрителей, тем больше мотивации создавать новый и интересный контент: Также не забывайте вступать в группу Вконтакте и подписываться на YouTube канал. Если вам когда-либо приходилось интересоваться параметрами работы такой важной системы компьютера, как , то вам наверняка, не раз встречался такой термин, как тайминги оперативной памяти. Что же он обозначает, и в чем заключается важность этого параметра?
Попытаемся разобраться в данном вопросе. Основными параметрами оперативной памяти, как известно, являются технология ее работы например, DDR 1, 2 или 3 , ее объем, а также тактовая частота. Но помимо этих параметров довольно важным, хотя и не всегда учитываемым параметром являются характеристики латентности памяти или так называемые тайминги. Тайминги оперативной памяти определяются количеством времени, которое требуется микросхемам ОЗУ, чтобы выполнить определенные этапы операций чтения и записи в ячейку памяти и измеряются в тактах системной шины. Таким образом, чем меньше будут значения таймингов модуля памяти, тем меньше модуль будет тратить времени на рутинные операции, тем большее быстродействие он будет иметь и, следовательно, тем лучше будут его рабочие параметры.
Тайминги во многом влияют на производительность работы модуля ОЗУ, хотя и не так сильно, как тактовая частота. Часто, хотя и не всегда, производители микросхем ОЗУ используют четвертый и пятый тайминги. Тайминг CAS Latency является одним из самых важных таймингов модуля оперативной памяти. Он определяет время, которое требуется модулю памяти, чтобы выбрать необходимый столбец в строке памяти после поступления запроса от процессора на чтение ячейки. Этот тайминг определяет число тактов, которое проходит между снятием сигнала RAS, означающего выбор определенной строки памяти и подачей сигнала CAS, при помощи которого осуществляется выбор определенного столбца ячейки в строке памяти.
Этот параметр задает количество времени в тактах, которое проходит между сигналом на предварительную зарядку Precharge и открытием доступа к следующей строке данных. Row Active Time Это тайминг определяет время, в течение которого является активной одна строка модуля памяти. Иногда для характеристики модуля памяти также используется тайминг Command Rate.
Как только системе понадобились данные, банка отдает заряд и ждет команды на заполнение новыми данными. Этим процессом руководит контроллер памяти. Для аналогии, сравним работу оперативной памяти и работу кафе. Чипы можно представить в виде графинов с томатным соком. Каждый наполнен соком и мякотью спелых помидоров электрический заряд, информация. В кафе приходит клиент пользователь компьютера и заказывает сок запускает игру. Бармен контроллер, тот, кто управляет банками принимает заказ, идет на кухню запрашивает информацию у банок , наливает сок забирает игровые файлы и несет гостю, а затем возвращается и заполняет графин новым соком новой информацией о том, что запустил пользователь. Так до бесконечности. Тайминги — качество Работа памяти, вопреки стереотипу, измеряется не только герцами. Быстроту памяти принято измерять в наносекундах. Все элементы памяти работают в наносекундах. Чем чаще они разряжаются и заряжаются, тем быстрее пользователь получает информацию. Время, за которое банки должны отрабатывать задачи назвали одним словом — тайминг timing — расчет времени, сроки. Чем меньше тактов секунд в тайминге, тем быстрее работают банки. Если нам необходимо забраться на вершину по лестнице со 100 ступеньками, мы совершим 100 шагов. Если нам нужно забраться на вершину быстрее, можно идти через ступеньку. Это уже в два раза быстрее. А можно через две ступеньки. Это будет в три раза быстрее. Для каждого человека есть свой предел скорости. Как и для чипов — какие-то позволяют снизить тайминги, какие-то нет. Частота — количество Теперь, что касается частоты памяти. В работе ОЗУ частота влияет не на время, а на количество информации, которую контроллер может утащить за один подход. Например, в кафе снова приходит клиент и требует томатный сок, а еще виски со льдом и молочный коктейль. Бармен может принести сначала один напиток, потом второй, третий. Клиент ждать не хочет. Тогда бармену придется нести все сразу за один подход. Если у него нет проблем с координацией, он поставит все три напитка на поднос и выполнит требование капризного клиента. Аналогично работает частота памяти: увеличивает ширину канала для данных и позволяет принимать или отдавать больший объем информации за один подход. Тайминги плюс частота — скорость Соответственно, частота и тайминги связаны между собой и задают общую скорость работы оперативной памяти.
In practice, there are other factors. This is where RAM timings come into the picture. Each of the four RAM timing numbers represents a different variable. The lower the CAS latency, the less delay. The number refers to the number of clock cycles of delay introduced. The tRCD refers to the length of time between when the row for a piece of data is activated and its column is activated. Only one line in the data matrix can be activated at a time. The Precharge command is issued once data is collected from a given row.
Активировать задержку предварительной зарядки после 36 – что это означает?
Все тайминги обычно указываются на маркировке микросхемы памяти в следующем порядке: CL-TRCD-TRP-TRAS. Определение и функция tRAS. Задержка активации перед предварительной зарядкой (tRAS) – это время, которое требуется оперативной памяти для завершения текущей операции перед тем, как она может быть очищена и использована для следующей операции. одна планка Crucial CT51264BA160B Со следующими характеристиками: DDR3 4 гб 1600 МГц PC12800 Тайминги: CAS Latency (CL) - 11 RAS to CAS Delay (tRCD) - 11 Row Precharge Delay (tRP) - 11 Activate to Precharge Delay (tRAS) - 30 Напряжение 1.5В. Активация до задержки на предварительное зарядное устройство (Activate to precharge delay) является временным интервалом между моментом включения системы Create 36 и моментом начала фактической зарядки или разрядки батареи. задержка, необходимая на подзарядку емкостей ячеек памяти. Производится или закрытие целой строки. Activate to Precharge (TRAS) - время активности строба.
Что такое тайминги? Ускоряем память или меньше не значит лучше Что такое command rate 1t или 2t.
Для активации задержки предварительного заряда TRAS требуется выполнить несколько простых шагов. Во-первых, необходимо установить специальное программное обеспечение, предоставляемое производителем автомобиля. К примеру, на модуле памяти указывается 7-7-7-20 — это означает, что для данного модуля CAS# Latency (tCL) составляет 7 тактов, RAS# to CAS# Delay (tRCD) — 7 тактов, RAS# Precharge (tRP) — 7 тактов и ACTIVE-to-precharge delay (tRAS) — 20 тактов. это одна из важнейших функций, отвечающих за работу памяти в компьютерах. RAS Precharge Time (tRP) — это время задержки между моментом активации строки и окончанием доступа к данным; Row Cycle Time (tRC) — это время задержки между двумя последовательными активациями строк. Trcd (RAS to CAS Delay) — это задержка, которая происходит между активацией строки и командой чтения данных из столбца. tRAS, Active to Precharge Delay, DRAM RAS# Activate to Precharge, Min RAS# Active Time. Параметр устанавливает минимальное время между командой активизации строки и командой закрытия, то есть такое время, в течение которого строка может быть открыта.
Модули памяти activate to precharge delay (tras) 12 - отзывы
Trp, Row Precharge – время, необходимое для предварительного заряда банка (precharge). Иными словами, минимальное время закрытия строки, после чего можно активировать новую строку банка. Определение и функция tRAS. Задержка активации перед предварительной зарядкой (tRAS) – это время, которое требуется оперативной памяти для завершения текущей операции перед тем, как она может быть очищена и использована для следующей операции. это одна из важнейших функций, отвечающих за работу памяти в компьютерах. Обычно для управления таймингами используется опция DRAM Timings, в которой пользователь может установить значения основных таймингов — CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge и Row Active Time, а также ряда дополнительных.
What Are Memory Timings? CAS Latency, tRCD, tRP, & tRAS (Pt 1)
Они определяют длину пакета данных. Как изменить частоту оперативной памяти в БИОСе? Разумеется, в большинстве случаев процедура ручной установки данного параметра оперативной памяти не требуется, поскольку BIOS автоматически подбирает необходимую частоту ОЗУ, исходя из номинальных значений модулей памяти. Однако может возникнуть такая ситуация, когда пользователю необходимо будет выставить значение частоты оперативной памяти, отличающееся от номинального. В этом пользователю могут помочь некоторые опции, доступные в BIOS. Для чего можно потребоваться ручная установка частоты ОЗУ?
Данное действие может потребоваться, например, в рамках мероприятий по разгону оперативной памяти. Большая частота оперативной памяти обычно позволяет обеспечить ее повышенную производительность, что, в свою очередь, может положительно влиять и на производительность всего компьютера. Однако следует помнить, что для того, чтобы добиться стабильной работы оперативной памяти, наряду с ее частотой может потребоваться одновременно настроить и другие параметры модулей ОЗУ, такие, как напряжение и тайминги. Параметры частоты оперативной памяти компьютера можно настроить лишь при помощи соответствующих опций BIOS. Нужно иметь в виду, однако, что далеко не все системные платы позволяют изменить данный параметр оперативной памяти.
Если в вашем распоряжении оказался компьютер с подобной материнской платой, то вы не сможете выставить нужную вам частоту, а в качестве ее значения будет использоваться номинальная величина для модуля ОЗУ. Для этого необходимо, прежде всего, войти в BIOS. Это можно осуществить во время перезагрузки компьютера, нажав на клавиатуре в момент перезапуска клавишу Del или другую клавишу, в зависимости от версии BIOS. Подробнее о том, как войти в BIOS, мы рассказывали в соответствующей статье. Итак, вы вошли в BIOS.
Какую именно опцию и в каком разделе необходимо искать? Это тоже зависит от версии BIOS. Частоту памяти в БИОСе можно выставить двумя основными способами: при помощи прямого указания значения и при помощи указания соотношения между частотой системной шины и частотой шины памяти. В последнем случае в названии опции обычно встречается слово Ratio соотношение. Также помимо возможности выбора непосредственных значений в опции может присутствовать возможность выбора значения Auto By SPD.
Это значение обычно установлено в опции по умолчанию. Установив необходимое значение частоты, вам будет необходимо перезагрузить компьютер, сохранив при этом сделанные в BIOS изменения. В некоторых случаях может потребоваться несколько попыток установки частоты оперативной памяти, которые необходимо повторять до тех пор, пока не будет найдено оптимальное значение, при котором работа ПК будет устойчивой. В частности, в Windows 7 пользователь может использовать для проверки работы ОЗУ встроенную утилиту «Проверка памяти Windows», находящуюся в разделе «Администрирование» «Панели управления». Следует помнить, что не рекомендуется устанавливать значения частоты опции, намного превышающие номинальные значения для микросхем памяти, поскольку в этом случае возможен выход из строя модулей памяти.
Кроме того, нужно иметь в виду, что повышение рабочей частоты может привести к повышению тепловыделения микросхем ОЗУ, что, в свою очередь, может повлечь за собой необходимость дополнительного охлаждения системного блока. Заключение Оперативную память не зря иногда называют «мозгами» ПК, поскольку от ее функциональности, объема и скорости во многом зависит вычислительная мощь компьютера. Однако далеко не всегда пользователь может позволить себе установить самую быструю а это в большинстве случаев означает — и самую дорогую оперативную память. Поэтому в таких ситуациях, когда требуется максимальное использование возможностей ПК, на помощь может придти разгон оперативной памяти, который осуществляется посредством установки значений частоты в специально предназначенных для этой цели опциях BIOS. В большинстве случаев процесс установки необходимых значений чрезвычайно прост и занимает немного времени.
Однако при установке необходимой частоты следует помнить, что выбор заведомо неправильных значений способен вызвать некорректную работу компьютера, зависания операционной системы и даже выход из строя модулей ОЗУ. Как выставить частоту оперативной памяти в биосе? Иногда у пользователей возникает вопрос, как изменить частоту оперативной памяти в биосе? Как правило, этот параметр биос выставляет автоматически, исходя из номинальных показателей модулей памяти. Но случаются ситуации, когда нужно вручную выставить частоту оперативной памяти, которая отличается от предложенных показателей.
Для этого в биосе существуют определенные опции, которые помогут вам это сделать. Давайте рассмотрим, с какой целью этот параметр нужно изменять. Во-первых, для повышения производительности компьютера. Такие действия обычно увеличивают скорость работы вашего ПК на 10-20 процентов. Но, стоит учитывать, что для стабильной работы компьютера, возможно, потребуется настроить и другие параметры модулей оперативной памяти, такие как частоту и напряжение.
Частоту оперативной памяти компьютера нужно настраивать лишь с помощью соответствующих опций BIOS. Но, не все системные платы поддаются изменениям данного параметра. И если вам «повезло», и у вас именно такая плата, то изменить частоту оперативной памяти вы попросту не сможете, ее значение будет соответствовать номинальной величине. А теперь приступим к делу. Безусловно, необходимо зайти в биос.
Для этого, при перезапуске компьютера нажимаем клавишу «Delete». Увеличить частоту памяти в биосе можно двумя способами: указав ее значение или указав соотношение между частотой системной шины, а также частотой шины памяти. В этом разделе устанавливаем параметр Manual вместо, установленного по умолчанию, Auto. Теперь можно менять значения частоты и множителя. Попробуйте увеличить частоту шины оперативной памяти на 30-50 Герц.
Сохранив все изменения, перезагружаем компьютер.
Для закрытия строки контроллер памяти отключает сигналы RAS и CAS , установив на соответствующих выводах высокий уровень. После этого начинается подзарядка закрываемой строки, но при этом может завершаться передача пакета с данными. Если нужно прочитать данные из другой строки, новый сигнал выборки строки RAS может быть подан только через некоторое время после закрытия предыдущей строки, которое необходимо для подзарядки закрываемой строки. Оказывает существенное влияние на производительность современных модулей памяти и может принимать значение 1 или 2 такта. Параметр Command Rate CR может не указываться, и тогда тайминги будут записываться последовательностью из четырех чисел 4-4-4-12.
Если посчитать количество импульсов тактового генератора между основными этапами работы контроллера, то можно получить схему таймингов 2-3-3-7, что характерно для памяти DDR. Однако это не так, поскольку DDR2 работает на вдвое большей частоте, а тайминги измеряются в тактах. Например, для выполнения двух тактов на частоте 200 МГц нужно столько же времени в наносекундах, что и для четырех тактов на частоте 400 МГц. Поэтому память DDR2 с таймингами 4-4-4-12 будет работать приблизительно с одинаковыми задержками, что и память 2-2-2-6. Количество доступных параметров для настройки оперативной памяти может сильно отличаться для разных моделей системных плат, даже выполненных на одном и том же чипсете. По этому признаку системные платы можно разделить на три категории.
Данная ситуация характерна для недорогих плат, предназначенных для компьютеров начального уровня. Как правило, присутствует возможность установки частоты памяти и, возможно, одного-двух таймингов. Такие платы обладают ограниченными возможностями разгона. Имеется возможность настройки рабочей частоты и основных таймингов, которые были перечислены выше. Такой набор параметров характерен для большинства плат и позволяет выполнять разгон системы. Параметры памяти могут быть собраны в отдельном разделе или находиться непосредственно в разделе Advanced Chipset Features.
В некоторых платах имеется специальный раздел для оптимизации и разгона, и параметры памяти могут находиться в нем. Выше был приведен алгоритм работы контроллера памяти в сильно упрощенном виде, но на самом деле контроллер памяти взаимодействует с модулем памяти по очень сложному алгоритму, используя, кроме указанных выше, множество дополнительных таймингов. Иногда можно встретить системные платы с расширенным набором параметров, что позволяет выполнять более тонкую оптимизацию работы памяти и эффективно разгонять ее. DRAM Timing Selectable, Timing Mode Это основной параметр для настройки оперативной памяти, с помощью которого выбирается ручной или автоматический режим. Возможные значения: 1. By SPD Auto — параметры модулей памяти устанавливаются автоматически с помощью данных из чипа SPD; это значение по умолчанию, и без особой необходимости менять его не следует; 2.
Manual — параметры модулей памяти устанавливаются вручную. При выборе этого значения можно изменять установки рабочих частот и таймингов памяти.
Оптимальное значение параметра tRAS зависит от конкретной системы и характеристик установленной памяти.
Оно должно быть подобрано таким образом, чтобы обеспечивать стабильную работу системы без ошибок записи и чтения данных. Изменение значения tRAS может потребовать дополнительного настраивания других параметров системы, таких как время задержки между циклами памяти и скорость шины. В целом, правильная настройка и работа транзистора с функцией Activate to precharge delay важны для обеспечения оптимальной производительности и стабильности работы компьютерной памяти.
Принцип работы транзистора с функцией Activate to precharge delay Принцип работы транзистора с функцией ATP основан на установлении определенного временного интервала между сигналами активации и предзаряда. Это позволяет избежать возможных проблем, таких как конфликты сигналов и искажения данных. Когда сигнал активации поступает на транзистор, он проходит через специальный механизм задержки, который устанавливает время, необходимое для включения транзистора и стабилизации его выходных сигналов.
Затем сигнал предзаряда активируется и готовит транзистор к следующему циклу работы. Преимущества транзистора с функцией ATP заключаются в улучшении производительности и надежности цифровых схем. Задержка активации и предзаряда позволяет более эффективно контролировать поток данных и минимизировать возможность возникновения ошибок в передаче информации.
Транзисторы с функцией ATP широко применяются в различных областях, включая микропроцессоры, компьютерные системы и микросхемы памяти. Они помогают обеспечить стабильную и точную работу цифровых устройств, что является важным фактором в современной электронике.
Если задержка предзарядки слишком короткая, то сигналы на линиях данных могут не успеть установиться в нужное состояние, что приведет к ошибкам чтения или записи данных. Если задержка предзарядки слишком длинная, то производительность памяти будет ниже, так как будут тратиться больше времени на ожидание предзарядки. Активация с задержкой предзарядки трас 36 позволяет точно настроить задержку между активацией строки и началом предзарядки в соответствии с требованиями конкретного приложения или системы. Это позволяет балансировать между производительностью и энергопотреблением, достигая оптимальной работы памяти. Преимущества активации с задержкой предзарядки трас 36: Улучшение производительности памяти путем оптимизации времени предзарядки; Снижение энергопотребления памяти за счет меньшего времени, потраченного на предзарядку; Настройка задержки предзарядки в соответствии с требованиями конкретной системы или приложения; Повышение надежности чтения и записи данных. В целом, активация с задержкой предзарядки трас 36 является важным параметром контроллера памяти, который позволяет оптимизировать производительность, энергопотребление и надежность работы памяти. Этот параметр следует настраивать в соответствии с конкретными требованиями и характеристиками системы или приложения.
Что такое активация с задержкой предзарядки трас 36? Активация с задержкой предзарядки трас 36 от англ. Activate to precharge delay trace 36 — это параметр, который используется в электронике и связан с процессом подготовки к работе компонентов системы. Данный параметр определяет задержку, которая происходит между моментом активации устройства и моментом начала подготовки предзарядки. Активация с задержкой предзарядки трас 36 используется для обеспечения правильного функционирования электронных компонентов и предотвращения возможных ошибок. Когда система активируется, сигнал идет по трасе 36, а затем происходит задержка перед началом предварительной зарядки. Это позволяет компонентам системы правильно инициализироваться и готовиться к работе.
Тайминг оперативной памяти
| Будет ли работать двухканальный режим ОЗУ при разных таймингах tRAS и производителях? | Каждый модуль памяти имеет набор таймингов, включающих CAS Latency (CL), RAS to CAS Delay (tRCD), Row Precharge Time (tRP) и Activate to Precharge Delay (tRAS). |
| Вторая планка памяти | Опция также может иметь другие названия: (Tras) Minimum RAS active Time. Act to Precharge Delay. |
| Activate to Precharge Delay (tRAS): важный параметр оперативной памяти на компьютере | Обычно для управления таймингами используется опция DRAM Timings, в которой пользователь может установить значения основных таймингов — CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge и Row Active Time, а также ряда дополнительных. |
Задержка активации предварительной зарядки: что это
Tccd, CAS to CAS Delay – минимальное время между двумя командами CAS#. Twr, Write Recovery, Write to Precharge – минимальное время между окончанием операции записи и подачей команды на предзаряд (Precharge) строки для одного банка. -Activate to Precharge delay (tRAS). Number of clocks taken between a bank active command and issuing the precharge command. Act to Precharge Delay - Active to Precharge (Tras) - RAS Pulse Width - DRAM RAS# Activate to Precharge Delay - DRAM Timing tRAS - DRAM tRAS Select - DRAM Tras Timing Value - Min RAS# Active Time - Precharge Delay. tRCD (RAS to CAS Delay) – продолжительность периода активации ряда (RAS) и колонки (CAS) в матрице хранения данных; tRP (RAS Precharge) – временной отрезок, начинающийся с команды деактивации одной строки и завершающийся активацией другой. Trp, Row Precharge – время, необходимое для предварительного заряда банка (precharge). Иными словами, минимальное время закрытия строки, после чего можно активировать новую строку банка. RAS to CAS is a potential delay to read/write operations. As RAM modules use a grid-based design for addressing, the intersection of rows and column numbers indicates a particular memory address. tRCD is the minimum number of clock cycles required to open a row and access a column.
Будет ли работать двухканальный режим ОЗУ при разных таймингах tRAS и производителях?
Фирма, спроектировавшая данный модуль памяти. На смену DDR3 постепенно приходят модули памяти DDR4, но большого распространения они пока не получили из-за высокой стоимости самих планок памяти и материнских плат для них. DDR - самый первый вид оперативной памяти с удвоенной скоростью передачи данных. Данная технология является устаревшей.
Address and Command Hold Time After Clock — время, на которое будут «заперты» установки адреса и команд после нисходящего фронта такта. Thp , CK half pulse width — длительность полупериода тактовой частоты CK. Max Async Latency — максимальное время асинхронной задержки. Параметр управляет длительностью асинхронной задержки, зависящей от времени, необходимого для передачи сигнала от контроллера памяти до самого дальнего модуля памяти и обратно. DRAM Read Latch Delay — задержка, устанавливающая время, необходимое для «запирания» однозначного распознавания конкретного устройства.
Актуально при повышении нагрузки числа устройств на контроллер памяти. Trpre , Read preamble — время, в течение которого контроллер памяти откладывает активацию приема данных перед чтением, во избежание повреждения данных. Trpst, Twpre, Twpst , Write preamble, read postamble, write postamble — то же для записи и после приема данных. Bypass Max — определяет, сколько раз самая ранняя запись в DCQ может быть обойдена, прежде чем выбор арбитра будет аннулирован. При установке в 0 выбор арбитра всегда учитывается. Turn-Around Insertion — задержка между циклами. Время от подачи команды до активации банка. Поскольку на расшифровку адреса уходит относительно много времени, можно применить упреждающий старт, подав адрес и команду подряд, без задержки, что повысит эффективность использования шины и снизит простои.
Tfaw , Four Active Windows — минимальное время активности четырех окон активных строк. Применяется в восьмибанковых устройствах. Strobe Latency. Задержка при посылке строб-импульса селекторного импульса. Memory Refresh Rate. Частота обновления памяти. Надеемся, что представленная нами информация поможет вам разобраться в обозначении таймингов памяти, насколько они важны и за какие параметры они отвечают. Конечно, в него внесены изменения для DDR4, но контроллер построен на все том же 12-нм техпроцессе.
В Zen 3 он не претерпел никаких изменений, однако благодаря новой компоновке ядер Zen 3 лишился одной промежуточной шины IF, что положительно сказалось на времени доступа к ОЗУ. Что лучше 1T или 2T? Размышляя логически, можно прийти к выводу, что чем меньше задержка время ожидания , тем больший объем данных можно обработать за одну и ту же единицу времени. То есть значение в 1T такт является наиболее оптимальным с точки зрения скорости работы памяти и компьютера в целом. Но вся загвоздка в том, что далеко не каждый модуль ОЗУ и контроллер памяти может работать стабильно с таким малым временем ожидания, как 1 такт. Возможны ошибки и потеря данных. Как следствие — нестабильная работа ПК, синие экраны смерти и так далее. Для того, чтобы правильно принять решение об установке значения опции Command rate в BIOS, нужно изучить технические характеристики материнской платы и модулей памяти, установленные в каждом конкретном случае, на предмет поддержки работы в режиме задержки 1 такт.
На свой страх и риск можно попробовать установить значение 1T и посмотреть как будет работать компьютер. При значении в 2 такта память будет работать медленнее, стабильнее и с минимальным риском возникновения ошибок. Также возможным значением для данной опции может быть AUTO. В этом случае BIOS сам установит оптимальное значение, сходя из параметров модуля памяти. Значение AUTO позволяет компьютеру автоматически подобрать время задержки В продолжение рубрики «конспект админа» хотелось бы разобраться в нюансах технологий ОЗУ современного железа: в регистровой памяти, рангах, банках памяти и прочем. Подробнее коснемся надежности хранения данных в памяти и тех технологий, которые несчетное число раз на дню избавляют администраторов от печалей BSOD. Разные поколения отличаются между собой рядом характеристик — в целом, каждое следующее поколение «быстрее, выше, сильнее», а для любознательных вот табличка: Для подбора правильной памяти больший интерес представляют сами модули: RDIMM — регистровая буферизованная память. Удобна для установки большого объема оперативной памяти по сравнению с небуферизованными модулями.
Например, 4 физических ранга в таких модулях могут быть представлены для контроллера как 2 виртуальных; Попытка одновременно использовать эти типы может вызвать самые разные печальные последствия, вплоть до порчи материнской платы или самой памяти. Но возможно использование одного типа модулей с разными характеристиками, так как они обратно совместимы по тактовой частоте. Правда, итоговая частота работы подсистемы памяти будет ограничена возможностями самого медленного модуля или контроллера памяти. Для всех типов памяти SDRAM есть общий набор базовых характеристик, влияющий на объем и производительность: частота и режим работы; Конечно, отличий на самом деле больше, но для сборки правильно работающей системы можно ограничиться этими. Понятно, что чем выше частота — тем выше общая производительность памяти. Но память все равно не будет работать быстрее, чем ей позволяет контроллер на материнской плате. Кроме того, все современные модули умеют работать в в многоканальном режиме, который увеличивает общую производительность до четырех раз. Режимы работы можно условно разделить на четыре группы: Single Mode — одноканальный или ассиметричный.
Включается, когда в системе установлен только один модуль памяти или все модули отличаются друг от друга. Фактически, означает отсутствие многоканального доступа; Dual Mode — двухканальный или симметричный. Слоты памяти группируются по каналам, в каждом из которых устанавливается одинаковый объем памяти. Модули памяти необходимо устанавливать парами на разные каналы. Производители материнских плат обычно выделяют парные слоты одним цветом; Для максимального быстродействия лучше устанавливать одинаковые модули с максимально возможной для системы частотой. При этом используйте установку парами или группами — в зависимости от доступного многоканального режима работы. Ранг rank — область памяти из нескольких чипов памяти в 64 бита 72 бита при наличии ECC, о чем поговорим позже. В зависимости от конструкции модуль может содержать один, два или четыре ранга.
Пример полной расшифровки маркировки на модулях Kingston: Серверные материнские платы ограничены суммарным числом рангов памяти, с которыми могут работать. Например, если максимально может быть установлено восемь рангов при уже установленных четырех двухранговых модулях, то в свободные слоты память добавить не получится. Перед покупкой модулей есть смысл уточнить, какие типы памяти поддерживает процессор сервера. Числа таймингов указывают параметры следующих операций: CL CAS Latency — время, которое проходит между запросом процессора некоторых данных из памяти и моментом выдачи этих данных памятью; tRCD задержка от RAS до CAS — время, которое должно пройти с момента обращения к строке матрицы RAS до обращения к столбцу матрицы CAS с нужными данными; tRP RAS Precharge — интервал от закрытия доступа к одной строке матрицы, и до начала доступа к другой; tRAS — пауза для возврата памяти в состояние ожидания следующего запроса; Разумеется, чем меньше тайминги — тем лучше для скорости. Но за низкую латентность придется заплатить тактовой частотой: чем ниже тайминги, тем меньше допустимая для памяти тактовая частота. Поэтому правильным выбором будет «золотая середина». Существуют и специальные более дорогие модули с пометкой «Low Latency», которые могут работать на более высокой частоте при низких таймингах. При расширении памяти желательно подбирать модули с таймингами, аналогичными уже установленным.
Для коррекции нерегулярных ошибок применяется ECC-память, которая содержит дополнительную микросхему для обнаружения и исправления ошибок в отдельных битах. Метод коррекции ошибок работает следующим образом: При записи 64 бит данных в ячейку памяти происходит подсчет контрольной суммы, составляющей 8 бит. Когда процессор считывает данные, то выполняется расчет контрольной суммы полученных данных и сравнение с исходным значением. Если суммы не совпадают — это ошибка. Технология Advanced ECC способна исправлять многобитовые ошибки в одной микросхеме, и с ней возможно восстановление данных даже при отказе всего модуля DRAM. Исправление ошибок нужно отдельно включить в BIOS Большинство серверных модулей памяти являются регистровыми буферизованными — они содержат регистры контроля передачи данных. Регистры также позволяют устанавливать большие объемы памяти, но из-за них образуются дополнительные задержки в работе. Дело в том, что каждое чтение и запись буферизуются в регистре на один такт, прежде чем попадут с шины памяти в чип DRAM, поэтому регистровая память оказывается медленнее не регистровой на один такт.
Все регистровые модули и память с полной буферизацией также поддерживают ECC, а вот обратное не всегда справедливо.
На самом деле таймингов примерно восемь, но для выбора памяти обычно имеют значение первые четыре: CL CAS Latency - время в тактах шины между сигналом Column Access Strobe адресующим столбец и собственно началом чтения из него данных, фактически - задержка между командой чтения из памяти и его фактическим началом. Самый важный параметр, если указано одно число - это оно. Чем меньше, тем лучше.
Тайминги расположены по порядку следования в простейшем запросе для простоты понимания.
Сначала идут тайминги, затем подтайминги. Tras, Active to Precharge — минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки её открытием и подачей команды на предзаряд начало закрытия строки. Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Trp, Row Precharge — время, необходимое для предварительного заряда банка precharge. Иными словами, минимальное время закрытия строки, после чего можно активировать новую строку банка.
Иначе, минимальное время между подачей двух команд. Это всё основные тайминги. Остальные тайминги имеют меньшее влияние на производительность, а потому их называют подтаймингами. Архитектурно открывать строку в другом банке можно сразу за открытием строки в первом банке.
Что такое тайминги? Ускоряем память или меньше не значит лучше Что такое command rate 1t или 2t.
| Sorry, your request has been denied. | Память будет работать. Но будет делать это на частотах и таймингах менее производительной планки памяти. |
| Что такое "Activate to precharge delay tras 36" и как это работает | это одна из важнейших функций, отвечающих за работу памяти в компьютерах. |
| Тайминги оперативной памяти и почему они так важны | Active to Precharge Delay (tRAS, DRAM RAS# Activate to Precharge, Min RAS# Active Time). Параметр устанавливает минимальное время между командой активизации строки и командой закрытия, то есть время, в течение которого строка может быть открыта. |